绝缘电阻是介质材料在直流偏压下抵抗漏电流
片式电容器的绝缘电阻取决于介质材料配方、工艺过程(烧结)和测量时的温度。所有介质的绝缘电阻都会随温度的提高而下降,在低温(-55℃)到高温(125℃)的MIL温度特性范围内可以观察到一个非常大的下降过程。
测量电容器绝缘电阻的时候需要重点考虑的是绝缘电阻与电容量的关系。
电容量值与绝缘电阻成反比,即电容量越高,绝缘电阻越低。这是因为电容量与漏电流大小是相互成正比的,可以用欧姆定律和比体积电容关系加以说明。
考虑到陶瓷电容器中通过绝缘体的漏电流(i)也可用上述关系式表示:I=VA’/ρt,这里V=测试电压A’=有效电极面积ρ=介质电阻率t=介质层厚度
从上面关系式可以看到,对于给定的测试电压,漏电流大小正比于电容器有效电极面积,反比于介质层厚度(和电阻率),即:i∝A’/t
绝缘电阻是测试电压的函数,漏电流正比于外加电压:i=VA’/ρt或IR=ρt/VA’
对于任意给定的电容器,绝缘电阻很大程度上依赖于介质材料本征的电阻率(ρ),也依赖于材料配方和测量时的温度。
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