测量共模扼流圈饱和特性的方法
通常很难测量共模线圈铁芯的饱和特性。通过一个简单的实验,可以看出60Hz编码电流引起的电感减小对共模滤波器衰减的影响程度。此测试需要示波器和数字万用表。首先,用示波器监测线路电压。此时,预计过滤器效率会下降。DMRN的输入端连接到LISN,输出端匹配50阻抗并连接到示波器的B通道。当共模扼流圈工作在线性区时,在输入电流波动过程中,B通道检测到的发射增量不超过6-10db。
通常很难测量共模线圈铁芯(全部或部分)的饱和特性。通过一个简单的实验,可以看出60Hz编码电流引起的电感减小对共模滤波器衰减的影响程度。此测试需要示波器和数字万用表。首先,用示波器监测线路电压。按照以下方法,输入示波器a通道的信号,将示波器的时间基准设置为2ms/div,然后将触发信号加到a通道,当交流电压达到峰值时,产生线电流。此时,预计过滤器效率会下降。DMRN的输入端连接到LISN,输出端匹配50阻抗并连接到示波器的B通道。当共模扼流圈工作在线性区时,在输入电流波动过程中,B通道检测到的发射增量不超过6-10db。
如果共模扼流圈达到饱和,发射将随着输入浪涌的增加而增加。如果共模扼流圈达到强饱和,则发射强度与无滤波器时相同,即容易达到40dB以上。
这些实验数据可以用其他方法来解释。小发射值(线电流为0时)是滤波器没有偏置电流时的效果。用峰值发射与小发射之比即衰减因子来衡量线电流偏移对滤波器实际效果的影响。退化系数越大,说明共模扼流圈铁芯使用不当,较好滤波器的“固有退化系数”约为2-4。这是由两种现象引起的:一是60Hz充电电流(如上所述)引起的电感减小;二是桥式整流器的正反向导通。共模发射的等效电路由阻抗约为200pf的电压源、二极管阻抗和LISN的共模阻抗组成,如图2所示。当桥式整流器正向偏置时,电源阻抗、25和LISN共模阻抗之间存在电压分压。当桥式整流器反向偏置时,整流桥的源阻抗、反向偏置电容和LISN之间会出现分压现象。当二极管整流桥的反向偏置电容较小时,对共模滤波有一定的影响。当整流桥正向偏置时,对CMF没有影响。
由于分压的存在,本征退化因子的期望值约为2。实际值的变化很大,主要取决于源阻抗的实际大小和二极管整流桥的反向偏置电容。在flugan发明的电路中,这一原理被用来减少小电流器件的传导发射。
推荐产品
- 容变二极管
0603 0805 1206特征:利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件,在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。应用:LC调谐电路、电子调谐、调幅、调频、自动频率控制、RC滤波电路等。
- 功率型厚膜片式固定电阻器
功率型厚膜片式固定电阻器最高功率可达2W,可用于电流探测用电阻器,产品符合ROHS及无卤素要求。
- 固态铝电解电容
插件固态电容是超高工作电压系列。适用于电源,工业设备等;105℃的可负载寿命为2000小时,产品全面符合rohs指令要求
- 通用型COG片容
通用型COG片容属于I类高频电容器,其电容量非常稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,尤其适用于高频电子线路。
- 贴片磁珠
贴片磁珠在同样的尺寸下比插件磁珠可产生较高的阻抗值,多数应用于数据传输线、信号线、电源部分及回路的抗干扰!
- 压电陶瓷环
15K φ50 φ17 *6.5 MM 20K φ60 φ30 *10 MM
同类文章排行
- 贴片电感的作用
- 用电流原理测量共模扼流圈
- 测量共模扼流圈饱和特性的方法
- 差模电感和共模电感的属性
- 共模电感与差模电感的介绍
- 电容击穿的原因是什么
- 不同电容器的损坏其检测方法是一样的吗?
- 钽电容的选型设计有哪些要求呢?
- 怎样识别贴片电容,其测量方法是什么
- 不同型号的钽电容是否应用范围也不一样
最新资讯文章
- 一体成型电感和普通电感的区别在哪
- 一体成型电感工艺流程的几大优势
- 贴片电感的作用
- 贴片电感原理介绍
- 用电流原理测量共模扼流圈
- 测量共模扼流圈饱和特性的方法
- 共模扼流圈综述
- 差模电感和共模电感的属性
- 共模电感与差模电感的介绍
- 电容击穿的原因是什么