片式压敏电阻器是中用流延工艺将电极层和半导体功能陶瓷层交错排布经烧结而成的半导体陶瓷元件，层间电极与元件的端面电极交错相连，增大相对电极的有效面积，因而提高了元件的耐受浪涌电压的能力。片式压敏电阻器是一种对电压敏感的电阻器，具有对称的伏安特性，其阻值随着外加电压上升呈非线性下降，当电压在一定范围内进一步上升时，这种非线性响应更加剧烈。
片式压敏电阻器是中用流延工艺将电极层和半导体功能陶瓷层交错排布经烧结而成的半导体陶瓷元件，层间电极与元件的端面电极交错相连，增大相对电极的有效面积，因而提高了元件的耐受浪涌电压的能力。
片式压敏电阻器的压敏电压即浪涌响应电压取决于两个电极层间厚度，与整个元件的厚度无关。元件的通流容量主要由交错层的数量决定，随元件尺寸的增大而增大。
片式压敏电阻器是一种对电压敏感的电阻器，具有对称的伏安特性，其阻值随着外加电压上升呈非线性下降，当电压在一定范围内进一步上升时，这种非线性响应更加剧烈。
直流作业电压:在规定的环境条件下，保证片式电压敏感电阻器的正常作业允许连续施加的最大直流电压值也作为测量泄漏电流的参考点，该电压通常小于部件的敏感电压。
交流工作电压：在规定的环境条件下，保证片式压敏感电阻器正常工作所允许连续施加的最大交流电压值。
最大浪涌电流(峰值电流Ip)在规定的脉冲波形(8/20us)和相应的电压下，保证片式压敏电阻正常工作的最大电流。这种脉冲可以从元件的任一端施加。
最大浪涌能源(能源耐力Es):在规定的脉冲波形(10/1000us)下，保证片式压敏电阻能够正常工作的最大脉冲能源。
漏电流（IL）:在非传导模式下，该元件具有非常高的阻抗（接近1.0E 9欧姆），在系统中呈开路状态，此时漏电流非常低（室温下<5uA）。与齐纳二极管不同，片式压敏电阻具有低泄漏电流特性，在最高工作温度下，泄漏电流不超过50uA。
