陶瓷电容器和高频陶瓷介质电容器是两种较为相似的电容器。实际上，陶瓷电容器和高频陶瓷介质电容器是不同的。以下是小编对陶瓷电容器和高频陶瓷介质电容器的区别做的简要介绍。
陶瓷电容器
将高介电常数电容器陶瓷(钛酸钡-氧化钛)挤压成作为介质的圆管、圆盘或圆盘，通过烧结渗透法在作为电极的陶瓷上镀银。它可分为高频瓷介和低频瓷介。
陶瓷电容器是具有小正电容温度系数的电容器，在高稳定振荡电路中用作电路电容器和焊盘电容器。
高频陶瓷电容器
适用于高频电路的云母电容器。就结构而言，它可分为箔式和银式。镀膜银电极是通过真空蒸发法或烧结渗透法在云母片上直接镀银层形成的。由于消除了气隙，温度系数大大降低，电容稳定性高于箔片。
频率特性好，Q值高，温度系数小；不能制造大容量；广泛应用于高频电器，可作为标准电容器玻璃釉电容器。
高频陶瓷介电电容器是通过喷涂一种浓度适合喷涂成薄膜的特殊混合物而形成的，该电介质与银层电极一起烧结形成“单片”结构。
其性能可与云母电容器相媲美，可承受各种气候环境，一般可在200或更高温度下工作，额定工作电压为500伏，损耗tgδ(介电损耗因数)为0.0005-0.008。
低频陶瓷电容限于在工作频率较低的电路中，或在稳定性和损耗要求不高(包括高频)的情况下旁路或直流隔离。这种电容器不适合用于脉冲电路，因为它们容易被脉冲电压击穿。
