陶瓷电容按频率特性分有，高频瓷介电容器。该类瓷介电容器的损耗在很宽的范围内随频率的变化很小，并且高频损耗值很小，使用频率可达1000MHz以上。
一：交流瓷介电容器（1类瓷介电容器）
根据交流电源的安全性使用要求，在2类瓷介电容器中专门设计生产了一种绝缘特性和抗电强度很高的交流瓷介电容器，亦称Y电容，是安规电容系列，按绝缘等级划分为Y1、Y2、Y3三大系列。
y电容主要作用为抑制EMI传导干扰。用来消除共模干扰，消除1M以上高频部分的干扰。也是分别跨接在电力线两线和地之间（L-E，N-E）的电容，一般是成对出现。Y电容接地起滤波作用。基于漏电流的限制，Y电容值不能太大。Y电容的电容容量，电压，安规认证标识均在电容本体上有打印标识。Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义。
二：低频瓷介电容器（2类瓷介电容器）
瓷介电容的陶瓷材料介电常数较大，因而制成的电容器体积小，容量范围宽，但频率特性和温度特性较差，因此只适合于对容量、损耗和温度特性要求不高的低频电路做旁路、耦合、滤波等电路使用。国标型号为CT1（低压）和CT81（高压）。由于其自身温升小，频率特性较好，因而可以用于频率较高的场合。
对低压瓷介电容，当容量大于47000pF时，则只能选择3类瓷介电容器（亦称半导体瓷介电容器）。
三：高频瓷介电容器（3类瓷介电容器）
瓷介电容器的损耗在很宽的范围内随频率的变化很小，并且高频损耗值很小，（tanδ≤0.15%，f=1MHz），最高使用频率可达1000MHz以上。同时该类瓷介电容器温度特性优良，适用于高频谐振、滤波和温度补偿等对容量和稳定度要求较高的电路。
瓷介电容的陶瓷材料介电常数较大，因而制成的电容器体积小，容量范围宽，但频率特性和温度特性较差，因此只适合于对容量、损耗和温度特性要求不高的低频电路做旁路、耦合、滤波等电路使用。对低压瓷介电容，当容量大于47000pF时，则只能选择3类瓷介电容器。
