晶粒发育充分BaTiO在三半导体陶瓷表面涂上适当的金属氧化物，在适当的温度下，在氧化条件下进行热处理，涂层氧化物与BaTiO3形成低共溶液相，沿开口气孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界上形成薄薄的固溶体绝缘层。这种薄固溶体绝缘层的电阻率很高，虽然陶瓷晶粒仍然是半导体，但整个陶瓷体的显介电常数高达2×104到8×104绝缘介质。用这种瓷器制成的电容器称为晶界层陶瓷电容器，简称BL电容器。
晶粒发育充分BaTiO在三半导体陶瓷表面涂上适当的金属氧化物(如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等)，在适当的温度下，在氧化条件下进行热处理，涂层氧化物与BaTiO3形成低共溶液相，沿开口气孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界上形成薄薄的固溶体绝缘层。这种薄固溶体绝缘层的电阻率很高（可达1012～1013Ω·cm），虽然陶瓷晶粒仍然是半导体，但整个陶瓷体的显介电常数高达2×104到8×104绝缘介质。用这种瓷器制成的电容器称为晶界层陶瓷电容器，简称BL电容器。
高压陶瓷电容器的瓷材主要有钛酸钡基和钛酸锶基。钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压性好的优点，但也存在介质温度升高、绝缘电阻降低等缺点。钛酸锶晶体的内部温度为-250℃，立方晶钙钛矿结构在室温下为顺电体，无自发极化现象，钛酸锶基陶瓷材料的介电系数变化较小，tgδ而且电容变化率小，使其作为高压电容介质非常有利。
多层陶瓷电容器是片式元件中应用最广泛的一种。它将内电极材料与陶瓷坯交替叠加，烧成一个整体，又称片式独石电容器，具有尺寸小、容量高、精度高的特点，可安装在印刷电路板上（PCB）、混合集成电路（HIC）电子信息终端产品(尤其是便携式产品)的体积和重量有效降低，产品可靠性提高。符合要求IT工业小型化、轻量化、高性能、多功能的发展方向，在2010年国家愿景目标纲要中明确提出，电子工业发展的重点是表面安装部件等新部件。它不仅包装简单，密封良好，而且能有效地隔离异性电极。MLCC存储电荷、阻断直流、滤波、灾难、区分不同频率、调节电路。有机薄膜电容器和电解电容器可部分取代高频开关电源、计算机网络电源和移动通信设备，大大提高了高频开关电源的滤波性能和抗干扰性能。
