Y5V电容器是具有一定温度限制的通用电容器。在-30℃～+85℃范围内，其容量变化范围为+22%～-82%，介电损耗可达5%。然而，Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造高达4.7μF的电容。然而，其电容受环境和工作条件的影响很大，介电损耗可达3%。其填充介质由铷、钐等稀有氧化物组成。X7R电容器被称为温度稳定陶瓷电容器。X7R电容器主要用于要求较低的工业应用，当电压变化时，其容量变化是可以接受的。
Y5V电容器是具有一定温度限制的通用电容器。在-30℃～+85℃范围内，其容量变化范围为+22%～-82%，介电损耗可达5%。然而，Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造高达4.7μF的电容
Z5u电容器被称为通用陶瓷片式电容器。其主要优点是体积小、成本低。在上述三种片式电容器中，z5u电容器在相同体积下的电容量最大。然而，其电容受环境和工作条件的影响很大，介电损耗可达3%。虽然其容量不稳定，但其体积小、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、频率响应好等独特优点使其得到了广泛的应用，特别是在去耦电路的应用中，NPO电容是最稳定的电容和介电损耗。其填充介质由铷、钐等稀有氧化物组成。当温度从-55℃到+125℃时，电容变化为0±30ppm/℃，电容随频率和相对使用寿命的变化很小。在不同的封装形式下，电容和介质损耗随频率的特性也不同。大封装尺寸NPO电容的频率特性优于小封装尺寸NPO电容。它适用于振荡器和谐振器的缝隙电容器，以及高频电路中的耦合电容器。X7R电容器被称为温度稳定陶瓷电容器。当温度为-55℃至+125℃时，容量变化为15%。应注意，此时电容变化是非线性的。在不同的电压和频率条件下，X7R电容器的容量不同。它也随时间变化，但比z5u和Y5V电容器要好得多。X7R电容器主要用于要求较低的工业应用，当电压变化时，其容量变化是可以接受的。其主要特点是在同一体积下，电容可以相对较大。
