陶瓷电容器结构是以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面镀一层金属（银）膜，然后作为电极高温烧结而成。陶瓷电容器分为介质、两种介质和三种介质。一级陶瓷电容器具有温度系数低、稳定性高、损耗小、耐压高等优点。大容量小于1000 PF。CC1、CC2、cc18a、cc11、CCG系列是常用的。CT1、CT2和CT3系列是常用的。一般用于中高频电路。
陶瓷电容器（CC）结构是以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面镀一层金属（银）膜，然后作为电极 高温烧结而成。陶瓷电容器分为介质（NPO、CCG）、两种介质（X7R、2x1）和三种介质（Y5V、2F4）。
一 级陶瓷电容器具有温度系数低、稳定性高、损耗小、耐压高等优点。大容量小于1000 PF。CC1、CC2、cc18a、cc11、CCG系列是常用的。与第陶瓷电容器相比，这三种陶瓷电容器具有介电系数高、容量大（可达0.47μf）、体积小、损耗小、绝缘性能差等特点。
一 级电容器主要用于高频电路。2、3类电容器广泛应用于中低频电路中，用于直流隔离、耦合、旁路和滤波。CT1、CT2和CT3系列是常用的。
聚酯电容器是由极性聚酯薄膜制成的具有正温度系数的非极性电容器。优点：耐高温、耐高压、防潮、价 格低廉。用途：一般用于中低频电路。常用机型有CL11、CL21等系列。
聚苯乙烯电容器（CB）结构有两种：箔式和金属化结构。
优点：箔式绝缘电阻大，介损小，容量稳定，精度高，但体积大，耐热性差；金属化型比箔式防潮、稳定性好，击穿后能自愈，但绝缘电阻低，高频特性差。
一般用于中高频电路。常用型号有CB10、cb11（非密封箔式）、CB14~16（精密式）、CB24、cb25（非密封金属化）、cb80（高压式）、cb40（密封金属化）等。
