本文主要介绍了瓷介电容器的分类，本文字数700字，阅读全文需7分钟。
用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合，这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
圆片式瓷介电容器的包封形式通常按电压区分，500VDC以下的低压产品CC1、CT1系列均采用酚醛树脂包封，该树脂绝缘强度和耐湿性较差，但成本较低。为改善耐湿性，此类包封外层均浸用一层薄蜡。1KVDC以下和交流电容系列，均采用绝缘强度和耐湿特性优良的阻燃环氧树脂包封。
除圆片式瓷介电容器外，使用的有轴向引线色环陶瓷电容和贴片式陶瓷电容，其内部结构为叠层方式，因而体积很小，但容量可以达到1μF以上，非常利于装配，但由于其结构限制，绝缘电阻和耐压无法做得很高，因而目前只限于低压（50V以内）产品，其损耗和温度特性与圆片电容相同。
陶瓷电容器虽有很多优点，但因陶瓷材料本身机械强度低、易破碎这一缺点，使其圆片的几何尺寸受到限制，这也是不同温度特性有不同容量范围的主要原因。通常标准上对低压圆片电容的允许直径D≤12mm,高压电容的圆片允许直径D≤16mm。如超过这一尺寸，生产加工难度和废品率就会有很大增加，并且在瓷片本体上产生的微小裂纹都将对电容器的可靠性产生很大隐患。因不同厂家在材料研制和工艺制造方面的水平不同，其外形尺寸标准也有差异，故其容量标称范围也有部分区别。
文章来源：深圳新晨阳电子
