陶瓷片式电容器高频特性好，但最大电容只能为0.1uF。片式陶瓷电容器也属于陶瓷电容器的，是一个总称。陶瓷片式电容器是以陶瓷材料为电介质，在陶瓷表面涂覆一层金属膜，然后高温烧结而成的电容器。在高稳定振荡电路中，采用正电容温度系数小的电容器作为回路电容器和填充电容器。此类电容器不应用于脉冲电路中，因为它们容易被脉冲电压刺穿。
整体式电容器相对稳定，温度漂移系数小，电容值可达1uF，使用寿命长，等效直流电阻小，价格略贵。
陶瓷片式电容器高频特性好，但最大电容只能为0.1uF。片式陶瓷电容器也属于陶瓷电容器的，是一个总称。陶瓷片式电容器是以陶瓷材料为电介质，在陶瓷表面涂覆一层金属膜，然后高温烧结而成的电容器。它通常作为电路、旁路电容器和垫电容器用于高稳定振荡电路中。在高稳定振荡电路中，采用正电容温度系数小的电容器作为回路电容器和填充电容器。低频陶瓷电容器仅在工作频率较低的电路中，或在稳定性和损耗要求较低的场合（包括高频）用作旁路或直流隔离。此类电容器不应用于脉冲电路中，因为它们容易被脉冲电压刺穿。
陶瓷电容器由高介电常数电容陶瓷（钛酸钡和氧化钛）制成，挤压成圆管、圆盘或圆盘作为介质，并通过烧结渗透法在陶瓷上镀银作为电极。它又分为两种类型：高频瓷介质和低频瓷介质。在高稳定振荡电路中，采用正电容温度系数小的电容器作为回路电容器和填充电容器。低频陶瓷电容器仅在工作频率较低的电路中，或在稳定性和损耗要求较低的场合（包括高频）用作旁路或直流隔离。此类电容器不应用于脉冲电路中，因为它们容易被脉冲电压刺穿。
