在陶瓷材料中，铁电陶瓷具有高介电常数，通常用于制备陶瓷电容器常见的铁电陶瓷多属于钙钛矿结构，如钛酸钡陶瓷及其固溶体，也有钨青铜型、含铋层状化合物和烧绿石型结构。但是，用铁电陶瓷制作普通铁电陶瓷电容器时，很难把陶瓷介质做得很薄。首先，铁电陶瓷薄时容易破碎，难以进行实际生产操作其次，当陶瓷介质较薄时，容易造成各种结构缺陷，使得制作工艺非常困难。
表面型半导体陶瓷电容器是指将瓷砖坯体半导化，将其表面再氧化形成薄介质层，然后在瓷砖两面烧电极而形成的电容器。通常，在半导体陶瓷例如BaTiO3的表面上形成的薄绝缘层被用作电介质层，并且半导体陶瓷本身可以被视为电介质的串联电路。表层陶瓷电容器的绝缘表层厚度根据不同的形成方法从0波动.01～100 μm。这既利用了铁电陶瓷的高介电常数，又有效地减小了介质层的厚度，是制备微型陶瓷电容器的有效方案。
晶界层型半导体陶瓷电容器通过沿半导体陶瓷体的晶界形成绝缘层，然后烧结陶瓷芯片两侧的电极，从而形成多个串来形成、并联的电容器网。
通常情况下，晶粒发育良好的钛酸钡半导体陶瓷表面会包覆一层适当的金属氧化物（例如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等）在适当的温度和氧化条件下热处理后，涂层氧化物将与BaTiO3 3形成低共溶相，它将沿着开放的孔隙和晶界迅速扩散和渗透到陶瓷中，并在晶界上形成薄的固溶体绝缘层。这种薄的固溶体绝缘层具有高电阻率（高达1012 ~ 1013ω·cm）虽然陶瓷的颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体表现为具有高表观介电常数的绝缘体介质。由这种陶瓷制成的电容器称为晶界层陶瓷电容器（Boundary glass ceramic capacitor）简称BL电容。
