就是说，当施加到压敏电阻器之上的电压低于其阈值时，它就起着关断状态开关的作用。击穿电压超过时，一旦环境温度超过正常工作温度范围，齐纳二极管的极限电压会随着环境温度的升高而升高，而当压敏电阻超过工作温度范围时，其极限电压几乎保持不变。压敏电阻与齐纳二极管相比具有更高的电容。根据不同的应用领域，浪涌抑制器的电容是不同的。与二极管相比，压敏电阻具有成本低、体积小等优点。

当施加在压敏电阻两侧的电压低于其阈值时，流过压敏电阻的电流很小，相当于一个电阻无穷大的电阻器。就是说，当施加到压敏电阻器之上的电压低于其阈值时，它就起着关断状态开关的作用。

当施加在变阻器之上的电压超过其阈值时，通过变阻器的电流就会激增，这就对应了一个电阻很小的电阻。就是说，当施加在它身上的电压都高于它的阈值。

就是说，当施加到压敏电阻器之上的电压低于其阈值时，它就起着关断状态开关的作用。击穿电压超过时，一旦环境温度超过正常工作温度范围，齐纳二极管的极限电压会随着环境温度的升高而升高，而当压敏电阻超过工作温度范围时，其极限电压几乎保持不变。压敏电阻与齐纳二极管相比具有更高的电容。根据不同的应用领域，浪涌抑制器的电容是不同的。与二极管相比，压敏电阻具有成本低、体积小等优点。

当施加在压敏电阻两侧的电压低于其阈值时，流过压敏电阻的电流很小，相当于一个电阻无穷大的电阻器。就是说，当施加到压敏电阻器之上的电压低于其阈值时，它就起着关断状态开关的作用。

当施加在变阻器之上的电压超过其阈值时，通过变阻器的电流就会激增，这就对应了一个电阻很小的电阻。就是说，当施加在它身上的电压都高于它的阈值。

与只有一个pn结来承受浪涌电流的硅二极管不同，ZnO压敏电阻由数百万个pn结组成。这种结构具有更好的能量吸收能力和浪涌耐受能力。

压敏电阻具有类似于其他半导体元件的工作特性。由于压敏电阻的导通速度非常快，延迟仅在纳秒范围之内，因此可以满足任何实际需要。上海雷懋电子。

3。过温条件下有稳定的电压。

击穿电压超过时，一旦环境温度超过正常工作温度范围，齐纳二极管的极限电压会随着环境温度的升高而升高，而当压敏电阻超过工作温度范围时，其极限电压几乎保持不变。当压敏电阻器的泄漏电流随元件体温度的升高而增大时，压敏电阻器的极限电压不会随温度的变化而变化。

压敏电阻与齐纳二极管相比具有更高的电容。根据不同的应用领域，浪涌抑制器的电容是不同的。在直流电路之中，压敏电阻的电容不仅可以去耦，而且可以抑制瞬态过电压。与二极管相比，压敏电阻具有成本低、体积小等优点。