与陶瓷电容器相比，片式钽电容器表面有电容和耐压痕迹。例如，100-16表示容量为100μF。SMD铝电解电容器的容量大于SMD钽电容器。主要表现在图形卡上，容量300μF~1500μF，片式钽电容器主要满足低频电流的滤波稳压效果。根本区别在于，通过芯片工艺安装的电容器具有黑色橡胶底座。制造商提供多种钽电容器产品，这些产品针对各种特定特性进行了优化，并针对不同的应用和市场细分。低ESR钽电容器和降低ESR一直是钽电容器设计的重要研究领域之一。

钽电容器用于小容量的低频滤波电路。与陶瓷电容器相比，片式钽电容器表面有电容和耐压痕迹。它们的表面颜色通常是黄色和黑色。例如，100-16表示容量为100μF。耐受电压为16V。SMD铝电解电容器的容量大于SMD钽电容器。主要表现在图形卡上，容量300μF~1500μF，片式钽电容器主要满足低频电流的滤波稳压效果。垂直电容器和芯片电容器的区别在于，无论是插件还是芯片安装过程，电容器本身都与PCB垂直。根本区别在于，通过芯片工艺安装的电容器具有黑色橡胶底座
制造商提供多种钽电容器产品，这些产品针对各种特定特性进行了优化，并针对不同的应用和市场细分。这些不同产品系列提供的优化包括更低的ESR、更小的尺寸、高可靠性（用于军事、汽车和医疗应用）、更小的直流泄漏电流、更低的ESL和更高的工作温度。本文主要关注两个方面：较低的ESR和较小的尺寸
较低的ESR–针对最低的ESR进行优化，这些设备在脉冲或交流应用中提供更高的效率，在高噪声环境中提供更好的过滤性能
较小的尺寸–结合使用高CV钽粉和高效封装，这些设备以紧凑的尺寸为空间紧凑型应用提供高容量，如智能手机、平板电脑和其他手持消费电子设备。低ESR钽电容器和降低ESR一直是钽电容器设计的重要研究领域之一。钽粉的选择和生产过程中用于阴极材料涂层的工艺对ESR有重要影响。然而，对于给定的额定值（容量、电压、尺寸），这些因素主要是设计限制，目前在最先进的设备上已基本解决。降低ESR的两个主要因素是：阴极材料用导电聚合物代替MnO2，引线框架材料由铁镍合金改为铜（Cu）。
 

摘自：http://www.sznse.com/Article/tdrbtxl.html