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陶瓷电容器与高频陶瓷介电容器看似相似的两种电容器，其实并非如此，其实陶瓷电容器与高频陶瓷介电容器是不同的，下面以容网专家为大家介绍一下陶瓷电容器与高频陶瓷介电容器的区别。将具有高介电常数的电容陶瓷挤压成管状、晶片状或圆盘状介质，用老化法在陶瓷上镀银作为电极。它分为高频瓷和低频瓷两种。高频瓷介质容器是用一种特殊的混合物以适合喷涂的浓度喷洒在薄膜上制成的。

陶瓷电容器与高频陶瓷介电容器看似相似的两种电容器，其实并非如此，其实陶瓷电容器与高频陶瓷介电容器是不同的，下面以容网专家为大家介绍一下陶瓷电容器与高频陶瓷介电容器的区别。将具有高介电常数的电容陶瓷(钛酸钡氧化钛)挤压成管状、晶片状或圆盘状介质，用老化法在陶瓷上镀银作为电极。它分为高频瓷和低频瓷两种。

陶瓷电容器正电容温度系数小的电容器，用于高稳定振荡电路中，如电路电容器和衬垫调平电容器。在工作在低频的电路中，或对稳定性和损耗要求不高(包括高频)的电路中，低频陶瓷介质容器仅限于旁路或直流隔离。这种电容器不应用于脉冲电路，因为它们很容易被脉冲电压击穿。

高频陶瓷介质容器适用于高频电路云母电容器。就结构而言，可分为箔式和被子式。

SILVER电极采用真空蒸发法或老化法直接在云母片上镀银层，由于消除了气隙，温度系数大大降低，电容稳定性比箔型高。频率特性好，Q值高，温度系数低。广泛应用于高频电器中，并可作为玻璃釉电容器的标准电容器。

高频瓷介质容器是用一种特殊的混合物以适合喷涂的浓度喷洒在薄膜上制成的。

然后用镀银的电极对介质进行烧结。性能可与云母电容器媲美，能承受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0。0005 ~ 0。008。

摘自：http://www.sznse.com/Article/tcdrqhgpcjd.html