晶界层陶瓷电容器是在晶粒发育良好的钛酸钡半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物并在适当的温度下在氧化条件下进行热处理。涂层氧化物将与钛酸钡形成低共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷中，在界面上形成一层薄的固溶体绝缘层。这种薄的固溶体绝缘层的电阻率很高。尽管陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104到8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。

晶界层陶瓷电容器是在晶粒发育良好的钛酸钡半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等）并在适当的温度下在氧化条件下进行热处理。涂层氧化物将与钛酸钡形成低共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷中，在界面上形成一层薄的固溶体绝缘层。这种薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达1012-1013Ω·cm）。尽管陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104到8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。
高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡基和钛酸锶基。钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容随介质温度升高而变化率大、绝缘电阻降低等缺点。钛酸锶晶体的居里温度为-250℃。室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，没有自发极化。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数、TGδ和电容变化不大。这些优点使得它非常适合作为高压电容器介质。
多层陶瓷电容器是应用最广泛的芯片元件之一。它是片式单片电容器，由内电极材料和陶瓷体多层交替并联组成，整体烧制而成。它具有体积小、比电容高、精度高等特点。它可以安装在印刷电路板（PCB）和混合集成电路（HIC）基板上，有效降低电子信号，提高终端产品（特别是便携式产品）的体积和重量，提高产品的可靠性。