Ⅰ型电容器陶瓷，它的介电常数一般小于100，电气性能稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变而变化，属超稳定、低损耗的电容器介质材料，常用于对稳定性、可靠性要求较高的高频、超高频、甚高频的场合。Ⅱ型电容器陶瓷，它的介电常数一般大于1000，电气性能较稳定，适用于隔直、耦合、旁路和洁、波电路及对可靠性要求较高的中、低频场合。

　　用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。

　　瓷介电容器常用的陶瓷介质材料有以下三类：

　　Ⅰ型电容器陶瓷：它的介电常数一般小于100，电气性能稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变而变化，属超稳定、低损耗的电容器介质材料，常用于对稳定性、可靠性要求较高的高频、超高频、甚高频的场合。

　　Ⅱ型电容器陶瓷：它的介电常数一般大于1000，电气性能较稳定，适用于隔直、耦合、旁路和洁、波电路及对可靠性要求较高的中、低频场合。因型电容器陶盟：它具有很高的介电常数，广泛应用于对容量稳定性和损耗要求不高的场合。

　　以铁酸顿为主的陶瓷材料为介质的电容器被称为独石瓷介电容器，它由多层片状陶瓷膜叠起来烧结而成。由于它的每片陶盗膜很薄，因此具有容量大、体积小的特点。

　　瓷介电容器具有以下特点：

　　1、由于电容器的介质材料为陶哇，所以耐热性能良好，不容易老化。

　　2、瓷介电容器能耐酸碱及盐类的腐蚀，抗腐蚀性好。

　　3、低频陶瓷材料的介电常数大，因而低频瓷介电容器的体积小、容量大。

　　4、绝缘性能好，可制成高压电容器。

　　5、高频陶瓷材料的损耗角正切值与频率的关系很小，因而在高频电路可选用高频监介电容器。

　　6、价格便宜，原材料丰富，适宜大批量生产。

　　7、瓷介电容器的电容量较小，机械强度较低。