陶瓷介电电容器是以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面涂覆金属(银)膜，然后在高温下烧结而成。陶瓷介电电容器分为一种介电，2种介电和3种介电陶瓷介电电容器。第|一类陶瓷介电电容器具有低温系数低、稳定性好、损耗低、耐压高等优点。大容量不超过1000pF，常用的有CC1，CC2，CC18A，CC11，CCG等系列。第|二类和第三类陶瓷介电电容器的特点是：材料的介电系数高，容量大，体积小，损耗和绝缘性能较差。第|一类电容器主要用于高频电路。

陶瓷介电电容器是以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面涂覆金属(银)膜，然后在高温下烧结而成。陶瓷介电电容器分为一种介电，2种介电和3种介电陶瓷介电电容器。第|一类陶瓷介电电容器具有低温系数低、稳定性好、损耗低、耐压高等优点。大容量不超过1000pF，常用的有CC1，CC2，CC18A，CC11，CCG等系列。第|二类和第三类陶瓷介电电容器的特点是：材料的介电系数高，容量大，体积小，损耗和绝缘性能较差。第|一类电容器主要用于高频电路。

陶瓷介电电容器(CC)是以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面涂覆金属(银)膜，然后在高温下烧结而成。陶瓷介电电容器分为一种介电(NPO，CCG)，2种介电(X7R，2x1)和3种介电(Y5V，2F4)陶瓷介电电容器。第|一类陶瓷介电电容器具有低温系数低、稳定性好、损耗低、耐压高等优点。大容量不超过1000pF，常用的有CC1，CC2，CC18A，CC11，CCG等系列。第|二类和第三类陶瓷介电电容器的特点是：材料的介电系数高，容量大(可达0.47μF)，体积小，损耗和绝缘性能较差。

第|一类电容器主要用于高频电路。2、这三类电容器广泛应用于中低频电路中，如隔离、耦合、旁路和滤波等。目前常用的系列有三种，如CT1、CT2、CT3等。

聚酯电容器(CL)是由具有正温度系数(即随着温度升高，电容增|大)的极性聚酯薄膜制成的非极性电容器。耐高温、耐高压、耐潮湿、价|格低廉。一般用于中低频电路。常用型号为CL11、CL21等系列。

聚苯乙烯电容器(CB)有两种类型：箔型和金属化型，箔绝缘电阻大，介损小，容量稳定，精度高，但体积大，热阻差，金属化防潮稳定性优于箔型，击穿后可自愈|合，但绝缘电阻低，高频特性差，广泛应用于中高频电路中。

常用的型号有CB10、CB11(未密封箔)、CB14~16(精度)、CB24、CB25(未密封金属化)、CB80(高压)、CB40(密封金属化)等。